رونمایی سامسونگ از حافظه MRAM فوق سریع و جدید خود در ماه آینده
رونمایی سامسونگ از حافظه MRAM فوق سریع و جدید خود در ماه آینده

رونمایی سامسونگ از حافظه MRAM فوق سریع و جدید خود در ماه آینده

برند سامسونگ موفق به ساخت سریع ترین حافظه از نوع MRAM بوده و در رویدادی در ماه آینده (۲۴ ماه می) از این حافظه رونمایی خواهد کرد. حافظه هایی از نوع MRAM (کوتاه شده عبارت magnetoresistant random access memory) نوعی حافظه غیر فرار است که از تکنولوژی گشتاور چرخشی برای انجام عملیات های خواندن و نوشتن داده با سرعتی معادل ۱۰۰۰ برابر بیشتر از حافظه های NAND کنونی استفاده می کند. همچنین این نوع حافظه ها به هنگام فعال بودن، انرژی کمتری را مصرف کرده و در صورت غیر فعال بودن نیز مصرفی برابر با صفر دارند.

خبر ساخت چنین حافظه ای بسیار خوشحال کننده است، اما متاسفانه در حال حاضر سامسونگ قادر به تولید حافظه هایی بیش از چند مگابایت نبوده از این نوع نیست. بنابراین هم اکنون MRAM تنها به عنوان حافظه های cache ای مکمل مناسب خواهند بود. در ابتدا، سامسونگ به دنبال آغاز همکاری های مشترک با کمپانی NXP و دستگاه های اینترنت اشیاء آن است، قبل از اینکه دوران حیات انواع زیادی از دستگاه های الکترونیک از جمله اسمارت فون ها به پایان برسد.

MRAM به دلیل داشتن ویژگی های سرعت بالا و مصرف کم انرژی، برای انواعی از حافظه ها که متناوبا مورد استفاده قرار میگیرند بسیار مناسب و ایده آل بوده و کمک می کند تا پردازش ها و عملیات های پردازنده با بهترین عملکرد ممکن انجام شوند. به علاوه می توان از آنها در اسمارت فون ها، تبلت ها و سایر دستگاه های ارتباطی امروزی استفاده کرده و دستگاه هایی سریع تر و با مصرف انرژی پایین تر را فراهم کرد.

منبع: phonearena

نوشته شده توسط

کارشناس ارشد مهندسی صنایع، علاقمند به حوزه های مختلف دنیای تکنولوژی از جمله فناوری های نوین، سیستم های سخت افزاری و نرم افزاری، روش های مبتنی بر تکنولوژی به منظور بهبود کیفیت سیستم های اقتصادی و اجتماعی، انرژی های نو و تکنولوژی های به کار رفته در جهت بهبود سیستم های سلامت.

مطالب مرتبط

پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *